Infineon erzielt technologischen Meilenstein mit weltweit erstem 300-Millimeter-Siliziumkarbid-(SiC)-Wafer für Leistungselektronik

• Infineon präsentiert branchenweit erste funktionsfähige Leistungsbauelemente, prozessiert auf 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafern
• Technologischer Durchbruch unterstreicht Innovationsstärke und Führungsposition von Infineon bei Leistungshalbleitern und Wide-Bandgap-Technologien
• Machbarkeit der SiC-Prozessierung auf 300-Millimeter-Wafern legt Fundament für langfristige Versorgung von Kunden in Industrie, Automobil und KI-Rechenzentren
• Infineon präsentiert ersten prozessierten 300-Millimeter-SiC-Wafer ab dem 10. November 2026 auf der Fachmesse electronica in München

Die Infineon Technologies AG hat in ihrem Werk in Villach, Österreich, 300-Millimeter-Siliziumkarbid-Wafer erfolgreich zu funktionsfähigen Leistungsbauelementen prozessiert. Infineon ist somit das erste Unternehmen, das diesen Innovationsmeilenstein unter realen Bedingungen in einer Halbleiterfertigung demonstriert hat.

Möglich wurde dies durch die Nutzung vorhandener Fertigungsanlagen für Silizium (Si). Dieser frühe Erfolg mit funktionsfähigen Leistungsbauelementen unterstreicht den starken Fokus von Infineon, Kunden ein umfassendes Portfolio leistungsfähiger SiC-Leistungshalbleiter anzubieten und die langfristige Versorgung sicherzustellen. Die Chipproduktion auf 300-Millimeter-Wafern ist technologisch fortschrittlicher und deutlich effizienter als auf 200-Millimeter-Wafern, da der größere Durchmesser 2,3-mal mehr Chips pro Wafer ermöglicht.

„Dieser technologische Meilenstein stärkt unsere Führungsposition im Bereich der Power Systems weiter. Ich gratuliere unserem engagierten Team und bedanke mich für den bedeutenden Schritt, 300-Millimeter-SiC aus dem Labor in eine Fertigungsumgebung zu bringen“, sagt Jochen Hanebeck, Vorstandsvorsitzender der Infineon Technologies AG. „Führend im Bereich Leistungshalbleiter zu sein, bedeutet, Technologie kontinuierlich auf die nächste Stufe zu heben. Mit 300-Millimeter-Wafern für Silizium, Galliumnitrid und jetzt auch Siliziumkarbid sind wir in einer führenden Position, um die Halbleiterfertigung weiter zu skalieren und profitables Wachstum voranzutreiben.“

„Dieser technologische Durchbruch zeigt einmal mehr unseren Innovationsvorsprung in der Leistungselektronik und die besondere Innovationskraft, die aus Villach kommt. Mit 300-Millimeter-Galliumnitrid und nun auch mit dem Machbarkeitsbeweis für 300-Millimeter-Siliziumkarbid setzen wir innerhalb kurzer Zeit international Maßstäbe. Genau das bedeutet für mich ‚Stärken stärken‘: Dort, wo wir technologisch an der Spitze sind, müssen wir unsere Kompetenzen konsequent weiterentwickeln und den Mut haben, Grenzen immer wieder neu zu verschieben. So sichern wir technologische Führungsposition und stärken zugleich Villach, Österreich und Europa als Innovationsstandort“, ergänzt Sabine Herlitschka, Vorstandsvorsitzende der Infineon Technologies Austria AG.

Der Innovationssprung verdeutlicht, dass eine künftige Industrialisierung von SiC auf 300-Millimeter-Wafern im großen Maßstab möglich ist. Infineon wird die 300-Millimeter-SiC-Technologie und den Zeitpunkt des Produktionshochlaufs gemeinsam mit Kunden und Partnern eng abstimmen und zugleich seine Roadmap für die 200-Millimeter-SiC-Fertigung weiter umsetzen. Fortschrittliche SiC-Leistungstechnologie bietet Infineon-Kunden eine kosteneffiziente und sichere Versorgungsbasis für Anwendungen in den Bereichen Automotive, erneuerbare Energien, Industrie und KI-Rechenzentren.

SiC ist ein zentrales Halbleitermaterial für hocheffiziente Energiewandlung. Die Materialeigenschaften ermöglichen geringere Leistungsverluste, höhere Leistungsdichte und einen effizienten Betrieb bei hohen Spannungen und Temperaturen, zum Beispiel in Traktionswechselrichtern, On-Board-Ladegeräten, Ladestationen für Elektrofahrzeuge, großen Energiespeichern und Industrieantrieben sowie in unterbrechungsfreien Stromversorgungen. Auch in KI-Rechenzentren wächst die Nachfrage, mit neuen Aufgaben für SiC in Solid-State-Transformatoren, Leistungsschaltern und Netzteilen. Infineon adressiert diese Anwendungen mit einem breiten CoolSiC™-Portfolio.

Parallel hat Infineon an seinem Standort Dresden die Machbarkeit seiner Cold-Split-Technologie für 300-Millimeter-SiC erfolgreich nachgewiesen. Cold Split trennt Wafer von einem SiC-Kristall (Boule) mit geringerem Materialverlust und deutlich kürzerer Bearbeitungszeit ab als das herkömmliche Drahtsägen. So lassen sich aus demselben Kristall mehr Wafer bei geringeren Investitionsausgaben gewinnen. Beide Entwicklungen bringen Infineon in eine gute Position, um die SiC-Technologie im Einklang mit der Marktnachfrage zu skalieren und die sich wandelnden Anforderungen der Kunden zu erfüllen.

Infineon fertigt Halbleiter auf Basis aller drei relevanten Materialien: Silizium, Siliziumkarbid und Galliumnitrid (GaN). Am 27. Oktober 2026 hat das Unternehmen eine Investition von rund 1,1 Milliarden Euro in die Hochvolumenfertigung für GaN-Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern in Villach angekündigt. Mit dem SiC-Erfolg überträgt Infineon diesen Ansatz auf ein zweites Wide-Bandgap-Material und stärkt die Position als Innovationsführer in der Halbleiterfertigung.

Infineon auf der electronica 2026

Infineon präsentiert den weltweit ersten prozessierten 300-Millimeter-SiC-Wafer auf der Fachmesse electronica in München. Vom 10. bis 13. November stellt Infineon in Halle C3, Stand 502 innovative und energieeffiziente Lösungen für eine zunehmend intelligente und vernetzte Welt vor. Weitere Informationen finden Sie unter www.infineon.com/electronica.