International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS)

WPI-MANA-Team erzeugt flexible Musterung auf flüssigen Murmeltröpfchen

Ein Team am WPI-MANA hat eine flexible Musterung von funktionalen Partikeln auf der Oberfläche von flüssigen Murmeltröpfchen in einem Patchwork-Design geschaffen.

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22.07.2021 03:10
 

WPI-MANA erreicht direktes Wachstum von Germanen und markiert damit einen wichtigen Schritt für die Herstellung elektronischer Bauteile

Einem Team am WPI-MANA ist das direkte Wachstum von h-BN-verkapptem Germanen auf der Oberfläche von Silber Ag(111) gelungen.

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21.07.2021 03:35
 

WPI-MANA demonstriert neuen GaN-MEMS-Resonator, der bis zu 600 K temperaturstabil ist

Ein Team am WPI-MANA hat einen hochtemperaturstabilen GaN-Resonator demonstriert, der sich durch Hochfrequenzstabilität, einen hohen Q-Faktor und das Potenzial für eine groß angelegte Integration mit …

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15.07.2021 06:48
 

Go-to Guy für hochreine hBN-Kristalle: Interview mit WPI-MANA-Forscher

Dr. Takashi Taniguchi ist bekannt für die Hochdrucksynthese von hBN-Kristallen (hexagonales Bornitrid), einem wichtigen Material in der Nanotechnologieforschung.

OTS0002
06.04.2021 04:14
 

2D-Elektronik könnte nur einen Tropfen entfernt sein: WPI-MANA

Ein Forschungsteam am WPI-MANA hat eine überraschend einfache Methode zur Herstellung von hoch organisierten Mono- und Multilayern aus 2D-Nanoblättern entwickelt.

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31.03.2021 09:49
 

Der neue EDLT-DAC von WPI-MANA bietet Einblicke in Hochdruckumgebungen

WPI-MANA-Forscher haben einen Weg gefunden, die Ladungsträgerdichte in verschiedenen Materialien unter hohem Druck zu kontrollieren, indem sie einen elektrischen Doppelschichttransistor (EDLT) mit einer …

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26.03.2021 21:20
 

WPI-MANA-Team demonstriert neuen laserunterstützten nichtflüchtigen Speicher auf Basis von 2D-van-der-Waals-Heterostrukturen

Ein Forschungsteam am WPI-MANA hat ein lasergestütztes nichtflüchtiges Speicherbauelement demonstriert, das auf zweidimensionalen van-der-Waals-Heterostrukturen basiert.

OTS0082
23.03.2021 10:31